功能描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：AlphaSGT?

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：135nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7085pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：50

AOT290L

AOT2910L

AOT2916L

AOT2918L

AOT292L

AOT298L

AOT29S50

AOT29S50L

AOT2N60

AOT3N50